مبدأ ذاكرة الفلاش المحمول

تتكون ذاكرة فلاش المحمول بشكل أساسي من شريحة تحكم i / o وذاكرة فلاش ولوحة دائرة ومكونات إلكترونية أخرى.

مبدأ تخزين الذاكرة المحمولة للذاكرة المحمولة هو: يقوم الكمبيوتر بتحويل الإشارات الرقمية الثنائية إلى إشارات رقمية ثنائية مركبة (إضافة تعليمات مثل التخصيص ، والتحقق ، والمكدس ، وما إلى ذلك) للقراءة والكتابة إلى واجهة تكيف رقاقة USB ، وتعيين المقابل المقابل عنوان شريحة ذاكرة eeprom من خلال إشارة معالجة الشريحة. تخزين البيانات الثنائية لتحقيق تخزين البيانات.

مبدأ التحكم في ذاكرة بيانات eeprom هو أن الجهد يتحكم في قيمة الجهد لترانزستور البوابة ، ويمكن أن توفر سعة الوصلة لترانزستور البوابة قيمة الجهد لفترة طويلة. جريد. يتم تشكيل سقيفة عائمة لتخزين الإلكترونات على أشباه الموصلات حيث يمر التيار بشكل أحادي بين المصدر والصرف. البوابة العائمة ملفوفة بغشاء من أكسيد السيليكون. وفوقها توجد بوابة الاختيار / التحكم التي تتحكم في تيار التوصيل بين المصدر والصرف. البيانات {{0} أو 1 اعتمادًا على ما إذا كانت هناك إلكترونات في البوابة العائمة تشكلت على ركيزة السيليكون. 0 مع الإلكترونات ، 1 بدون إلكترونات. يتم تهيئة ذاكرة الفلاش ، كما يوحي اسمها ، بمسح البيانات قبل الكتابة. على وجه التحديد ، يتم استخراج الإلكترونات من جميع البوابات العائمة. سيتم إرجاع بعض البيانات إلى "1" قريبًا. عند الكتابة ، اكتب فقط عندما تكون البيانات 0 ، ولا تفعل شيئًا عندما تكون البيانات 1. عند كتابة 0 ، يتم تطبيق جهد عالي على قطب البوابة وتصريفه ، مما يزيد من طاقة أجريت الإلكترونات بين المصدر والصرف. هذا يسمح للإلكترونات باختراق عازل فيلم الأكسيد وإلى البوابة العائمة. عند قراءة البيانات ، يتم تطبيق جهد معين على قطب البوابة ، ويكون التيار 1 عندما يكون التيار كبيرًا ، و 0 عندما يكون التيار صغيرًا. في حالة لا تحتوي فيها البوابة العائمة على إلكترونات (البيانات هي 1) ، يتم تطبيق جهد على الصرف عندما يتم تطبيق جهد على إلكترود البوابة ، ويتولد تيار بسبب حركة عدد كبير من الإلكترونات بين المصدر والصرف. في الحالة التي تحتوي فيها البوابة العائمة على إلكترونات (البيانات تساوي 0) ، سيتم تقليل الإلكترونات التي يتم إجراؤها في القناة. نظرًا لأن الجهد المطبق على إلكترود البوابة يمتص بواسطة إلكترونات البوابة العائمة ، فمن الصعب التأثير على القناة.